Name: Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4776DY-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3

Artikelnummer:

SI4776DY-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Datenblätte:

1.SI4776DY-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf Si4776DY.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4776DY-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	4.1W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	521 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11.9A (Tc)
Grundproduktnummer	SI4776
SI4776DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI4776DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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