SI4776DY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4776DY-T1-GE3
Price: 0.22 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (669 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SI4776DY-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 11.9A 8SO
Datenblätte:	SI4776DY-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	10519 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI4776DY-T1-GE3
HerstellerVishay / Siliconix
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 11.9A 8SO
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus10519 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse8-SO
SerieSkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)4.1W (Tc)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TA)
BefestigungsartSurface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds521pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11.9A (Tc)
SI4776DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]SI4776DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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